Cette page regroupe les TD.
- TD1 : ce premier TD permet de comprendre la notion de polarisation sur un transistor
MOS, son influence sur le régime dynamique ainsi que l'influence des charges sur les points de polarisation. La notion de capacité de
liaison et de découplage est introduite dans ce TD.
- TD2 : ce TD concerne l'étude d'un amplificateur à transistor MOS, en abordant les limites fréquentielles dues aux hautes fréquences.
- TD3 : etude d'un montage type Darlington. Ce TD montre l'intérêt de cascader deux transistors bipolaires : l'impédance d'entrée est grandement améliorée.
- TD4 : etude d'une paire différentielle. Après avoir étudié la polarisation de la paire, on étudie les gains de mode commun et différentiel pour une paire à sortie différentielle ou non.